K8·凯发(中国)天生赢家·一触即发

合肥产投资本已投企业禾丰科技新材料及智能装备制造低碳产业园项目于合肥市瑶海区举行开工仪式。

北京顺义汽车产业投资基金，规划总规模达20亿元。

粤芯半导体迎来发展史上的又一重大里程碑时刻。

镓仁半导体在超宽禁带半导体材料领域取得重大突破

厦门大学恒坤科技先进半导体材料联合创新中心(简称联合创新中心)日前在厦大思明校区签约揭牌。该中心是厦门大学与厦门恒坤新材料

国家知识产权局信息显示，广州华瑞升阳投资有限公司申请一项名为宽禁带半导体器件的专利，公开号 CN 119170634 A，申请日期为202

天眼查显示，苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司近日取得一项名为一种释放氧化应力的VCSEL芯片及其制备方法的专利，授权

又见跨界收购半导体资产，这次是“一代鞋王”奥康。

氮化物基发光二极管（LED）可广泛应用于照明、显示及通信领域。其中，光源的线偏振特性作为一项关键的功能扩展，为显示背光、3D

12月24日，华工科技半导体激光装备产业创新联合实验室启动仪式在华工激光举行。联合实验室是武汉市首批10家联合实验室之一，以半

科瑞半导体实施功率半导体产业链倍增计划，推进第三代半导体等功率器件封测产线的升级，于6月投资启动实施一期项目IGBT、SiC第三代半导体基础工艺封测产线建设，扩建半导体功率器件框架生产线，主要应用于充电桩、新能源汽车等领域。

天眼查显示，派恩杰半导体（浙江）有限公司基于S参数的数据处理方法、装置及电子设备专利公布，申请公布日为2024年11月15日，申

据港交所12月23日披露，广东天域半导体股份有限公司(以下简称为天域半导体)向港交所主板提交上市申请书，中信为独家保荐人。

该调查将初步评估中国的行为、政策和做法对碳化硅衬底或其他用作半导体制造投入的晶片生产的影响。

国家知识产权局信息显示，华为技术有限公司申请一项名为碳化硅衬底及其制备方法、半导体器件、电子设备的专利，公开号 CN 119153

唐晶量子化合物半导体外延片研发和生产项目将扭转化合物半导体激光器外延片长期依赖进口的局面，助力下游半导体激光器、射频芯片等国产化。

晶益通半导体官方消息宣布，IGBT模块材料和封测模组产业园一期项目已顺利封顶，项目预计将在明年4月竣工并交付使用。

新站高新区与深记设备搬运安装有限公司举行项目签约仪式，进一步助力我区新型显示、半导体产业发展。

12月14日，由半导体投资联盟主办、爱集微承办的2025半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼在上海圆满举行。现场，东方晶源微电子科技

国家知识产权局信息显示，万国半导体国际有限合伙公司申请一项名为用于功率 MOSFET 的凹陷型多晶硅 ESD 二极管的专利，公开号 CN