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近日，半导体照明联合创新国家重点实验室官网正式官宣宽禁带半导体超越照明材料与技术全国重点实验室重组获批，但目前官网页面的

进入第四季度以来，福建晶旭半导体科技有限公司二期项目基于氧化镓压电薄膜新材料的高频滤波器芯片生产项目正开足马力，抢抓施工

镓仁半导体在超宽禁带半导体材料领域取得重大突破

国家知识产权局信息显示，广州华瑞升阳投资有限公司申请一项名为宽禁带半导体器件的专利，公开号 CN 119170634 A，申请日期为202

中国科学院上海微系统所异质集成XOI团队和南京电子研究所超宽禁带半导体研究团队合作，在金刚石基氧化镓异质集成材料与器件领域取得突破性进展。

期间，“超宽禁带半导体技术 I”分会上，深圳平湖实验室第四代半导体首席科学家、新加坡工程院院士张道华做了“超宽禁带半导体氧化镓和氮化铝特性研究”的主题报告，讨论超宽带隙半导体的研究状况和主要问题，分享了实验室团队近来在氧化镓和氮化铝的理论研究和材料表征等方面所做的工作。

论坛期间的“功率模块与电源技术应用峰会”上，天津大学教授薛凌霄、小鹏汽车功率系统总监陈皓、瑞萨半导体宽禁带半导体高级总监严启南、易能时代科技有限公司董事长兼CEO苏昕、纳微半导体应用总监李宾、长城电源技术有限公司深圳研发中心副总经理蔡磊、浙江大学副研究员闫海东、派恩杰半导体(浙江)有限公司应用主任工程师雷洋等专家们带来精彩报告，共同探讨功率模块与电源技术应用的最新进展。

北京大学物理学院凝聚态物理与材料物理研究所、宽禁带半导体研究中心、人工微结构和介观物理国家重点实验室许福军、沈波团队创新

西安电子科技大学副校长、教授张进成将出席论坛，并将带来《高功率宽禁带半导体射频器件研究进展》的大会报告。

北京大学教授、理学部副主任、宽禁带半导体研究中心主任沈波将出席论坛，并将带来《基于大失配外延的氮化物第三代半导体材料与器件》的大会报告，敬请期待！

IFWS的重要分会之一的“超宽禁带半导体技术分会I”最新报告日程正式出炉。分会将于11月20日在苏州国际博览中心G馆 • G106召开，诚挚邀请业界同仁同聚！

研究背景-Ga₂O₃ 作为新兴超宽禁带半导体材料，具有约 4.9 eV 的准直接带隙，其光响应峰值正好落在日盲紫外波段，是制备日盲紫

2024年6月21至23日，“新一代半导体晶体技术及应用大会”将在山东济南召开，北京大学教授、理学部副主任、宽禁带半导体研究中心主任沈波受邀将出席会议，并带来《AlN单晶衬底和外延薄膜的制备》的大会主旨报告

中国科学院宁波材料技术与工程研究所（以下简称宁波材料所）张文瑞研究员、郭炜研究员长期招聘博士后，招聘方向为氧化物、氮化物

宽禁带半导体技术快速崛起，未来10年将对国际半导体产业格局重塑产生至关重要的影响。宽禁带半导体是全球高技术竞争的关键领域之

随着高性能、高功率、高频率等需求的不断扩展以及技术的不断提升，超宽禁带半导体呈现出越来越明显的应用优势，在多个领域都具有

碳化硅为代表的第三代宽禁带半导体具有诸多优势，碳化硅电力电子器件优异的高效、高压、高温和高频特性，使其在家用电器、电机节

以金刚石、氧化镓、氮化硼为代表的超宽禁带半导体禁带宽度、化学稳定性、击穿场强等优势，是国际半导体领域的研究热点。其中，氧

氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）等宽禁带半导体材料广泛用于信息化社会、人工智能、万物互联、现代农业、现代医疗、智能交通、国防

以金刚石、氧化镓、氮化铝、氮化硼、石墨烯等为代表的超宽禁带半导体材料具有更高的禁带宽度、热导率以及材料稳定性，有着显著的